公司已具備集成電路的研發(fā)能力

      2018年9月,公司與外國(guó)專家組成的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)在山東省首屆“創(chuàng)業(yè)齊魯?共贏未來(lái)”高層次人才創(chuàng)業(yè)大賽中憑借“混合信號(hào)集成電路的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”榮獲“新一代信息產(chǎn)業(yè)組優(yōu)勝獎(jiǎng)”;同年11月公司作為主要股東與外國(guó)專家合資成立“山東奧天電子科技有限公司”推進(jìn)項(xiàng)目的開展,2019年9月通過山東省科技廳和組織部的聯(lián)合考察,奧天電子首席專家被認(rèn)定為“泰山產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才”。

“混合信號(hào)集成電路的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”主要研發(fā)智能音頻集成電路、智能電源管理集成電路及其配套功放晶體管、音頻功放模塊等產(chǎn)品,產(chǎn)品應(yīng)用于消費(fèi)類電子、工業(yè)電子、汽車電子和通信設(shè)備等領(lǐng)域。

項(xiàng)目前期產(chǎn)品與第一代智能音頻集成電路配套的“高性能、寬安全工作區(qū)、高可靠性晶體管”已經(jīng)完成了產(chǎn)品樣品的試制及老化試驗(yàn),申請(qǐng)國(guó)內(nèi)發(fā)明專利并獲得受理公示,下半年將導(dǎo)入客戶并進(jìn)行批量生產(chǎn),該產(chǎn)品封裝形式主要是TO-3PL,產(chǎn)品性能超過日本東芝等同類產(chǎn)品,在國(guó)際上處于領(lǐng)先水平;該產(chǎn)品主要應(yīng)用于音頻功率放大器;同時(shí)第一代智能音頻集成電路-AB類功放集成電路已經(jīng)完成設(shè)計(jì)并進(jìn)行計(jì)算機(jī)模擬仿真,下一步將進(jìn)行流片。

三極管的介紹

        三極管又稱“晶體三極管”或“晶體管”。在半導(dǎo)體鍺或硅的單晶上制備兩個(gè)能相互影響的PN結(jié),組成一個(gè)PNP(或NPN)結(jié)構(gòu)。中間的N區(qū)(或P區(qū))叫基區(qū),兩邊的區(qū)域叫發(fā)射區(qū)和集電區(qū),這三部分各有一條電極引線,分別叫基極B、發(fā)射極E和集電極C,是能起放大、振蕩或開關(guān)等作用的半導(dǎo)體電子器件。
 

工作原理
       晶體三極管(以下簡(jiǎn)稱三極管)按材料分有兩種:鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式,但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管,(其中,N表示在高純度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導(dǎo)電,而p是加入硼取代硅,產(chǎn)生大量空穴利于導(dǎo)電)。兩者除了電源極性不同外,其工作原理都是相同的,下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。 對(duì)于NPN管,它是由2塊N型半導(dǎo)體中間夾著一塊P型半導(dǎo)體所組成,發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結(jié)稱為集電結(jié),三條引線分別稱為發(fā)射極e、基極b和集電極c。
當(dāng)b點(diǎn)電位高于e點(diǎn)電位零點(diǎn)幾伏時(shí),發(fā)射結(jié)處于正偏狀態(tài),而C點(diǎn)電位高于b點(diǎn)電位幾伏時(shí),集電結(jié)處于反偏狀態(tài),集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。在制造三極管時(shí),有意識(shí)地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的,同時(shí)基區(qū)做得很薄,而且,要嚴(yán)格控制雜質(zhì)含量,這樣,一旦接通電源后,由于發(fā)射結(jié)正偏,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(電子)及基區(qū)的多數(shù)載流子(空穴)很容易地越過發(fā)射結(jié)互相向?qū)Ψ綌U(kuò)散,但因前者的濃度基大于后者,所以通過發(fā)射結(jié)的電流基本上是電子流,這股電子流稱為發(fā)射極電流了。由于基區(qū)很薄,加上集電結(jié)的反偏,注入基區(qū)的電子大部分越過集電結(jié)進(jìn)入集電區(qū)而形成集電極電流Ic,只剩下很少(1-10%)的電子在基區(qū)的空穴進(jìn)行復(fù)合,被復(fù)合掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補(bǔ)給,從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得:Ie=Ib+Ic,這就是說(shuō),在基極補(bǔ)充一個(gè)很小的Ib,就可以在集電極上得到一個(gè)較大的Ic,這就是所謂電流放大作用,Ic與Ib是維持一定的比例關(guān)系,即:β1=Ic/Ib 式中:β1--稱為直流放大倍數(shù),集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為:β= △Ic/△Ib。式中β--稱為交流電流放大倍數(shù),由于低頻時(shí)β1和β的數(shù)值相差不大,所以有時(shí)為了方便起見,對(duì)兩者不作嚴(yán)格區(qū)分,β值約為幾十至一百多。三極管是一種電流放大器件,但在實(shí)際使用中常常利用三極管的電流放大作用,通過電阻轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷悍糯笞饔谩?/span>
 

三極管的作用
       晶體三極管,是最常用的基本元器件之一,晶體三極管的作用主要是電流放大,他是電子電路的核心元件,大規(guī)模集成電路的基本組成部分也就是晶體三極管。
       三極管基本機(jī)構(gòu)是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié),兩個(gè)PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分,中間部分是基區(qū),兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū),排列方式有PNP和NPN兩種, 從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極,分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié),集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極?;鶇^(qū)很薄,而發(fā)射區(qū)較厚,雜質(zhì)濃度大,PNP型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是空穴,其移動(dòng)方向與電流方向一致,故發(fā)射極箭頭向里;NPN型三極管發(fā)射區(qū)"發(fā)射"的是自由電子,其移動(dòng)方向與電流方向相反,故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。 三極管是一種控制元件,三極管的作用非常的大,可以說(shuō)沒有三極管的發(fā)明就沒有現(xiàn)代信息社會(huì)的如此多樣化,電子管是他的前身,但是電子管體積大耗電量巨大,在20世紀(jì)末期已經(jīng)被淘汰。三極管主要用來(lái)控制電流的大小,以共發(fā)射極接法為例(信號(hào)從基極輸入,從集電極輸出,發(fā)射極接地),當(dāng)基極電壓UB有一個(gè)微小的變化時(shí),基極電流IB也會(huì)隨之有一小的變化,受基極電流IB的控制,集電極電流IC會(huì)有一個(gè)很大的變化,基極電流IB越大,集電極電流IC也越大,反之,基極電流越小,集電極電流也越小,即基極電流控制集電極電流的變化。但是集電極電流的變化比基極電流的變化大得多,這就是三極管的電流放大作用。
電流放大是晶體三極管的作用,其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù),用符號(hào)“β”表示。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來(lái)說(shuō)是一個(gè)定值,但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。根據(jù)三極管的作用我們分析它可以把微弱的電信號(hào)變成一定強(qiáng)度的信號(hào),當(dāng)然這種轉(zhuǎn)換仍然遵循能量守恒,它只是把電源的能量轉(zhuǎn)換成信號(hào)的能量罷了。三極管有一個(gè)重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當(dāng)三極管的基極上加一個(gè)微小的電流時(shí),在集電極上可以得到一個(gè)是注入電流β倍的電流,即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化,并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化,這就是三極管的放大作用。三極管的作用還有電子開關(guān),配合其它元件還可以構(gòu)成振蕩器,此外三極管還有穩(wěn)壓的作用。